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重新审视指定轴子电荷扇区中的 IIB 型轴子-胀子欧几里得鞍点。在该扇区中，\(E=0\) 的解是 BPS 瞬子，而 \(E>0\) 则给出具有光滑喉部的非 BPS 虫洞。这两种情况求解相同的径向方程，但定义了不同的涨落问题。对于 \(E=0\) 的瞬子，哈密顿约束、规范商、电荷扇区边界条件以及集体零模的移除将二次作用量简化为一个物理 Hessian 矩阵。该 Hessian 矩阵可因式分解为 \({\cal H}_\nu = {\mathcal Q}_\nu^\dagger{\mathcal Q}_\nu\)。作者将此解释为一个端点定理，其适用范围超越了针对完整 \(E>0\) 虫洞的稳定性定理。这为 IIB 型虫洞谱提供了更坚实的基础。此外，还将连通的二端虫洞喉部与其长程二端多极子算子项区分开来。一旦推导出系数矩阵 \(C^{ij}\)，两个末端插入点的不同分量和相同分量放置均出现在同一二次表达式中。移除任一项都需要真正的投影或抵消。