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真空中的原子里德伯态如今已被公认为量子技术的一种资源。半导体中的施主也表现出类似的态，并已被提出用于类似的应用。尽管施主受益于其在宿主晶体中的永久位置，但电子-晶格耦合导致其激发态寿命远短于真空中性原子的激发态寿命。本文对施主-声子动力学进行了定量描述，为在用于量子器件的实际材料堆叠中设计施主系统奠定了基础。该理论既包含了里德伯态的形态因子（由于这些态在实空间中具有较大的延伸范围，因此在动量空间中具有很强的选择性），也包含了布里渊区内所有六个声子分支的形变势的表格化数据。通过将该框架与精心控制的时间分辨自由电子激光测量结果进行对比，结果表明，广泛引用的硅导带底位置 \(k_0\) 与观测到的施主弛豫速率不一致，而只有当该值比通常假设的更远离X点时，才能获得定量上的一致性。这种严格的实验-理论比较将施主弛豫确立为硅导带参数和散射过程的精密计量学，其影响从量子器件延伸至经典电子学。