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分子激发态的模拟是量子化学中的一个关键挑战，也是量子计算领域颇具前景的应用方向。本研究探究了截断本征值参数化初始密度自适应变分算法（TEPID-ADAPT-VQE）在计算低能激发态与势能面方面的有效性。该算法通过对截断后的低温吉布斯态进行变分对角化，可在单次优化中同时制备多个激发态。将该方法应用于H$_2$、LiH以及线性H$_4$分子，覆盖了从弱关联到强关联的键长区间。基于自适应导数组装的问题定制（ADAPT）算符构造方法，可生成适用于近期硬件的紧凑量子线路。为与TEPID-ADAPT进行对比，还实现了一个改良版的MORE-ADAPT-VQE算法。研究发现，两种算法均能在化学精度范围内，准确重现所有研究分子与几何构型的激发态谱与势能曲线。然而，TEPID-ADAPT的优势在于仅需单一且具有物理意义的超参数（温度）来控制激发态的目标能标，而MORE-ADAPT则需要多个超参数，其最优值对目标问题高度敏感。这些结果表明，将自适应算符构造与基于密度矩阵的公式相结合，为在近期量子设备上开展激发态量子化学计算提供了一种高效框架。