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机械应变是调控量子系统的一种有力手段，但现有的压电应变单元通常针对脆弱的高长宽比单晶进行优化，而非半导体量子器件中常见的厚方形芯片。此外，将这些单元适配于量子比特需要容纳密集的射频和直流布线，同时与高压压电执行器保持严格的电气隔离。本文提出了一种压电单轴应变单元，专为均匀应变厚方形基底设计。该团队引入了一种高度对称的双芯片加载结构，有效抑制了弯曲变形和剪切应力。该单元集成高密度射频/直流转接板以支持标准引线键合，并将执行器封装在接地法拉第笼中，以防止器件层出现不必要的斯塔克位移。有限元仿真证实，将刚性执行器与此对称安装相结合能显著提升应变均匀性。最后，该团队通过对200 μm厚的硅芯片施加单轴应变进行实验验证。表面应变测量表明，在200 V压电偏压下，施加的应变为215 με。