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半导体量子点量子比特通常要求每个栅极施加差异较大的电压，才能使其达到正确的工作点。该团队提出了一种方法，能够可控且可重复地改变氧化物-半导体界面处的纳米级陷阱电荷分布。研究人员在Si/SiGe量子点器件上演示了该方法，发现工作电压变得可控且更加均匀。该方法依赖于在施加栅极电压的同时使用近红外光照射，并能够逐个栅极地调整器件工作点。该团队通过自洽薛定谔-泊松模拟解释了其背后的物理机制。作为该方法的应用，研究人员将一个三量子点调谐至(1,1,1)电荷构型下具有均匀且较小的工作电压。重要的是，该工作表明，以这种方式移动工作电压并不会改变测得的电荷噪声。