量子科技中心_量科网

利用光学控制电子产生位点已广泛实现超快纳米级成像、光谱学和功能调控。现有方法通过塑造纳米结构周围的局域光场来实现纳米级位点选择性，但这限制了在同一局域光场热点内独立选择位点的能力。在此，该团队利用单分子电子发射器证明，位点选择性可编码于电子激发路径中，从而在同一局域光场热点内实现亚纳米级的电子产生位点控制。通过调节光子能量，该团队可选择性地激发具有不同空间对称性的分子态，并在同一发射器内不同位置间可逆地切换电子产生位点，且该变化可直接通过远场发射模式读出。这种切换仅取决于光子能量，而光强或偏振态的变化不会引发切换。该团队的研究成果确立了不由局域光场分布决定的光学生成位点选择性，为通过电子激发路径控制电子产生位点开辟了新途径。