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该团队为全连接陷阱离子架构中的多量子比特门操作构建了详细的微观噪声模型。研究发现，声子加热和运动退相干效应可被有效的单量子比特和双量子比特误差通道很好地描述，这些通道原则上可以作用于任意量子比特对之间。然而，未耦合量子比特之间双量子比特误差的中位值显著小于门耦合量子比特之间的误差中位值。与光子散射相关的误差仅会传播到参与门操作的量子比特上。最后，该团队将所有噪声源（已分配实验相关参数）进行组合，并研究了基于旋转表面码的量子纠错方案的可扩展性（作为误差率和码尺寸的函数）。该分析弥合了陷阱离子架构中多量子比特门的器件级物理与量子纠错性能之间的鸿沟。