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该团队研究了一种仅使用光刻工艺制备transmon约瑟夫森结的方法，该方法采用改进的双倾斜蒸发几何结构。通过双层光刻胶工艺和铝阴影蒸发，该团队制备了结结构，并利用光学显微镜和扫描电子显微镜确认，最终形成的窄化交叉区域的几何面积达到 \(10^4~\mathrm{nm}^2\) 量级，处于量子比特结制备的相关尺寸范围内。室温电阻筛选结果表明，在可用的工艺窗口内，结电阻落在当前transmon设计的目标范围内，并表现出清晰的设计依赖性。该团队进一步将制备的结集成到transmon器件中，并在 \(20 \, \mathrm{mK}\) 的三维铝腔中对其进行评估，观察到基本的transmon量子比特操作，其 \(f_{01}=4.865\) GHz，\(T_1 \sim 9 \, μ\mathrm{s}\)，\(T_2^* \sim 0.4 \, μ\mathrm{s}\)。这些结果证明了仅通过双倾斜蒸发光刻工艺实现功能性transmon器件的可行性。