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光学可寻址碳化硅中的自旋缺陷，包括中性双空位（VV⁰）和负电氮-空位（NV⁻），是固态量子技术的主要构建单元之一。将这些缺陷集成到纳米柱等光子结构中，可提升光子收集效率，但其影响远不止于此。该团队发现，纳米柱的亚波长几何结构会显著改变局部电磁环境，从而提供光学通道，使原本因体材料中的选择定则而被抑制的缺陷跃迁得以实现。通过低温光致发光光谱分析，该工作观察到，由于纳米柱内激发场的偏振变换，在平面器件中几乎消失的PL3双空位发射在纳米柱中变得显著。进一步利用纳米柱的方向依赖性收集特性，该研究解析了此前模糊光谱线的来源。具体而言，NV4′特征表现出轴向取向NV⁻中心预期的信号增强，这与该特征归属于k̅h缺陷构型的高激发态一致。该研究结果确立了纳米光子集成作为一种对称性敏感探针的地位，既能激活名义上的暗态跃迁，也能识别理解尚不充分的缺陷态的偶极特性。