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平面锗异质结构中承载的空穴自旋量子比特，是可扩展半导体量子计算的主要平台之一。然而，器件性能受到显著量子点变异性制约，导致量子比特能级不确定性和自旋量化轴的随机取向。g张量的定制化控制为克服这些限制、实现更可靠的量子比特操作提供了策略。本文提出了一种灵活的优化框架，用于设计g张量特性。作为基准测试，该团队通过数值方法获得了SiGe-Ge-SiGe量子阱中面外势的最优重塑方案，以抑制面内g张量分量并实现最近提出的无间隙单自旋量子比特编码。这种重塑通过异质结构工程实现，具体通过调节量子阱内的硅浓度，但该框架仍可轻松适配其他设计目标。该团队的研究结果为改善自旋响应的可调性提供了实用设计原则，为大规模锗基量子计算机的发展铺平了道路。