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采用液滴蚀刻外延生长的砷化镓量子点是优质的固态量子光源。尽管该技术已被应用于各类量子效应器件，但相较于液滴外延法或砷化铟量子点的斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫生长等其他量子点制备工艺，学界始终缺乏对液滴蚀刻外延晶体生长技术的系统评述。本文详细阐述了分子束外延环境下液滴蚀刻外延生长技术，重点分析了制备高质量量子点所需的关键生长参数。研究团队系统论述了液滴蚀刻外延的三个核心阶段——液滴沉积、液滴蚀刻和纳米孔再生长，并将实验结果与晶体生长理论进行了关联分析。最后，文章介绍了砷化镓量子点的光致发光特性，并探讨了液滴蚀刻外延技术在铝镓砷/砷化镓材料体系之外的拓展应用。