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自旋穿梭技术已成为半导体自旋量子比特器件中建立中程连接的有力且前景广阔的工具。尽管该技术在不同材料平台上的实验表现极为出色，但如何在硅材料低能谷分裂区域实现有效穿梭仍是一个悬而未决的问题。本研究创新性地探索了利用能谷自由度（尤其在低能谷分裂区域）的可能性，使移动自旋量子比特能够穿过被占据的静态量子点，从而实现对静态电子的蛙跳式跨越。这一机制不仅通过开辟新的传输路径显著增强了电子的迁移能力，更在穿梭过程中实现了纠缠SWAPγ双量子比特门操作。通过多组参数仿真，研究团队验证了该操作的可行性：既为量子处理器芯片中的不稳定区域提供了独特应用方案，又为硅基自旋量子比特器件拓展了潜在的操作集。