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全光学纯自旋电流的产生——即无相应电荷流动情况下的自旋流动——依赖于基于对称性的谷电荷补偿。二维d波交替磁体因其极低的自旋-轨道耦合特性成为理想的自旋电子学材料，但其磁点群和高度各向异性的谷流形结构似乎阻碍了此类电流补偿，使其无法作为超快产生纯自旋电流的材料。本研究表明，通过红外谷激发结合太赫兹脉冲包络，可在交替磁体Cr2SO中产生近乎100%纯净的大幅值自旋电流。该方法的物理基础是：线偏振光与自旋相反谷态耦合的谷选择定则，以及伴随太赫兹脉冲赋予谷自旋激发的本征动量偏移。这些发现为在d波二维交替磁体中实现纯自旋电流的全光学生成提供了实用路径，为在极低本征自旋混合环境中实现自旋的光波调控开辟了新途径。