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由静电无序涨落引起的低频电荷噪声是半导体空穴自旋量子比特的主要限制因素。本文分析了空穴自旋量子比特对单个双能级涨落源（TLFs）的准静态响应。研究表明，由于g张量的各向异性，量子比特响应取决于涨落源诱导的偶极扰动的几何构型。该团队进而提出一种通过累积贝里相位来分离特定g张量分组的读出方案，并在该读出模型中估算出总耗时数十微秒时信噪比可达量级1。最后通过微观模拟计算量子费舍尔信息（QFI），确定了量子比特对特定g张量分组无序变化最敏感的磁场方向与约束条件。