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研究人员展示了对自组装砷化铟负电荷量子点中单个自旋量子比特的完全相干控制，该量子点处于斜向磁场环境下，并直接将该体系与传统Voigt几何构型进行对比。在斜场构型中，基态自旋本征态被发现是裸电子自旋的非对称叠加态，其组成成分可通过外加磁场方向进行调节。这种可调谐自旋混合为带电量子点系统中的自旋基矢设计和光学耦合调控提供了额外自由度。尽管该几何构型具有独特结构且蕴含重要物理意义，但它提供了一个能对定制化自旋量子比特实现完全相干控制的实验体系。研究团队观测到拉比振荡和拉姆齐条纹，并演示了任意单量子比特旋转操作，从而实现了与Voigt构型的直接对比。研究结果证实自旋量子比特控制并不必须依赖纯Voigt几何构型，而可在斜向磁场下实现。这一发现放宽了对器件和磁场对准的严苛要求，为半导体量子点中量子信息处理架构的设计与优化提供了灵活路径。