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该研究团队研究了磁场对二硒化钨（WSe₂）电子特性的影响，重点关注自旋轨道耦合、自旋与谷极化以及电导率。研究人员通过解析求解本征值方程，并基于电流密度利用连续性方程确定了透射概率。采用Büttiker公式计算电导率。数值结果表明，K谷的电子透射概率显著高于K′谷，且在这两个能谷中都清晰观测到克莱因隧穿效应。 随着磁场增强，塞曼效应改变了费米子的能级结构，从而影响电导率表现。这种能级调控可将费米子限制在势垒内部。研究还发现磁场强度会调控自旋和谷极化状态，通过引导费米子运动方向来决定其穿越势垒的通道选择。该工作为谷电子学领域提供了新的费米子调控手段，在信息存储所需的谷过滤技术方面具有重要应用前景。