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通量量子（Fluxonium）超导量子比特已展现出较长的相干时间与较高的单/双量子比特门保真度，使其成为构建超导量子处理器的优势载体。该研究团队通过八组平面铝硅基量子比特，系统探究了限制通量量子比特能量弛豫时间T1的主要因素。实验数据表明，基于电路的电容介电损耗模型最能准确描述T1的频率依赖性特征，该团队分别采用二能级和六能级弛豫模型对此进行了分析。通过将实测T1转化为等效电容品质因数QCeff，研究人员在统一框架下对比了不同量子比特性能，同时综合考虑了1/f磁通噪声及控制-读取电路辐射损耗的独立估算影响。

应用该方法对比两种制备工艺的量子比特：基准工艺与约瑟夫森结沉积前采用氟基湿法处理的改良工艺。结果显示改良工艺使QCeff工艺平均值仅提升(13.8±8.4)%，表明氟处理可能降低了金属-基底界面的损耗，但未解决这些通量量子比特的主要损耗来源。