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长程相互作用能够从本质上重构关联电子基态。在方晶格哈伯德模型中，掺杂时在位排斥作用会形成反铁磁自旋条纹和电荷条纹。该研究团队发现，引入最近邻排斥势V可显著改变这一行为。通过辅助场量子蒙特卡洛和密度矩阵重整化群方法，研究人员证实当V/U超过临界比值（约0.25）时，系统会形成与棋盘式电荷密度波交织的调制亚铁磁序。在亚铁磁畴内，自旋密度会在正值（或负值）与近零值之间交替变化：当总自旋固定为零时，正负磁畴会在空间交替排列；当自旋不受约束时，则会出现具有有限磁化强度的亚铁磁态。引入次近邻跃迁t′会改变调制波长但不会破坏该有序态。该工作表明，即使是短程非局域相互作用也能稳定全新类型的磁结构，这对铜氧化物材料和可编程量子模拟器研究具有重要意义。