铼作为长寿命Transmon量子比特的材料平台

超导薄膜界面处的介电损耗长期以来被认为是限制尖端超导电路性能的关键因素。值得注意的是,金属-空气界面处自然氧化层的存在被推测是导致介电损耗的原因之一。本研究探索了铼作为薄膜候选材料,因其具有抑制自然氧化形成的显著特性。通过在蓝宝石衬底上制备铼薄膜,并实现平均弛豫时间T1达407微秒(5GHz频率下)的传输子量子比特,该团队证明了铼-蓝宝石体系作为超导电路材料平台的潜力。研究人员还开展了损耗特性研究,通过分离主导损耗机制构建了与T1测量结果相符的损耗预算模型。进一步的性能表征或将确立铼作为实现最长退相干时间的首选材料。
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提交arXiv: 2026-03-11 18:01

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