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该研究团队提出了一种简单、灵活且低开销的方法，用于改进通用的有偏量子误差缓解（QEM）技术。在具有2000个纠缠门的100量子位电路上，该方法比标准QEM实现了高达15%的保真度提升。研究人员通过构建可验证的基准电路来实现这一目标，这些基准电路能反映应用电路的原生门结构及其噪声特征。仅需目标应用电路和硬件原生门集，这些基准电路即可用于评估并校正底层误差缓解方法的偏差。 该工作提出了两种基准电路生成方法：第一种对目标硬件不可知，仅需引入少量单量子位门开销；第二种专为IBM超导硬件设计，完全无需额外门操作。作为衍生成果，该团队提出了“基准噪声零噪声外推法”（bnZNE），这是对当前最流行的零噪声外推法（ZNE）的简易改进。通过对Trotter化哈密顿模拟进行偏差校正的ZNE与bnZNE对比研究，该团队在IBM超导硬件上进行的经典小规模模拟和100量子位实用规模实验均表明，新方法优于标准ZNE技术。实验观测对象包括单点位可观测量以及一维量子位链上的两点关联函数。该研究同时提供了实现相关误差缓解技术的软件工具包。