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光子量子计算协议的严苛要求推动了光子集成电路（PIC）平台的发展，这类平台需兼具优异的被动光学特性（如极低损耗和相应的大电路深度）与主动光学特性（如高重配置速率、低功耗和最小串扰）。同时，许多量子光子资源态发生器（如单光子源和量子存储器）需要在可见光波段工作。这些需求使得基于CMOS工艺制造的超低损耗、弱约束氮化硅波导的被动光学特性极具吸引力。然而，这类系统基于热光调制的传统主动特性长期受困于高串扰、低调制速率和高功耗问题。尽管近期已出现CMOS制造的可见光波段压电-光机械PIC方案，成功解决了实现主动功能的相关挑战，但这些方案采用的高约束波导目前展示的损耗高达0.3-1 dB/cm，无法满足可扩展量子算法所需的电路深度。本研究通过将压电-光机械驱动与弱约束超低损耗氮化硅平台相结合，在实现可见光波段高性能主动功能的同时，成功解决了可扩展性难题。该平台在780 nm波长下实现0.026 dB/cm的传输损耗，MHz级调制带宽，以及约2.8 V·m的相位调制器电压-长度积（VπL），且迟滞效应可忽略。基于螺旋相位调制器的可重构马赫-曾德尔干涉仪进一步实现了每个相位调制器仅0.63 dB的插入损耗。