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随着硅基自旋量子比特芯片的量子比特数量和面积不断增大，筛选与量子比特相关材料参数的方法变得至关重要。本研究展示了一种二维映射技术，能以优于10⁻³的精度和纳米级横向分辨率，对平面Si/SiGe量子阱中形成的量子点电子g因子的微小变化进行测量。通过扫描40nm×400nm区域内的电子g因子，研究人员观察到每个量子点位点存在两个g因子值，这些值在整个区域呈现显著的对称性和双峰分布特征。这两个g因子与量子点中电子的能谷态相关，该发现与最新理论模型相吻合。 该团队采用传送带式纠缠电子自旋对输运技术（作为局域能谷劈裂映射的互补手段）实现了g因子的空间映射。通过对比同一器件上测得的g因子与能谷劈裂分布图，并应用g因子对能谷间耦合依赖关系的理论模型，研究人员沿电子输运轨迹提取出复杂的能谷间耦合参数。这些分布图将为量子比特操控、读取及输运过程中的自旋-能谷动力学提供前所未有的认知，并为大规模量子芯片用Si/SiGe异质结构的工程化制备建立基准标准。