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该研究团队将关注点放在三方混态作为初始态的情况，分别应用相干并发度研究了史瓦西黑洞背景下相位阻尼、相位翻转和比特翻转通道中的量子相干特性。研究人员提出了基于三方子系统相干并发度的若干解析互补关系。在比特翻转通道情形下，相干并发度的行为特征与相位阻尼通道类似——随着霍金辐射强度增强，可及相干并发度持续衰减但永不发生突然死亡现象，而不可及相干度则从零开始单调递增。值得注意的是，在相位翻转通道中，相干并发度会随衰减概率增大呈现先降后升的变化趋势。与三方纯态情形不同，具有X型结构的混态其相干并发度等于相干性的l1范数。