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空气桥结构是实现集成电路和量子器件中高性能、低寄生互连的关键元件。传统多步骤制造工艺阻碍了器件小型化进程并会引入工艺相关缺陷。该研究团队报道了一种仅需单次电子束光刻的纳米级空气桥简化制备工艺。通过优化多层抗蚀剂堆叠结构结合三重曝光剂量方案及热回流工艺，成功制备出特征尺寸小于200纳米、具有优异机械稳定性的平滑悬空金属桥结构。在超导transmon量子比特梯度仪SQUID设计中，这些空气桥结构在未引入可测弛豫时间T1额外损耗的同时，使退相干时间T∗2提升了2.5倍。该高效方法为先进量子和纳米电子器件集成高性能三维互连提供了实用化路径。