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过渡金属二硫化物半导体异质双层中的莫尔超晶格可实现具有大面外永久电偶极矩和自旋谷调控的层间激子的量子限域效应。该研究团队报道了在2H堆叠MoSe2/WSe2异质双层中，通过Γ点手性E′′面内光学声子实现单个莫尔俘获层间激子的新型声子辅助激发机制。该激发路径保留了谷选择性光学跃迁定则，能够确定性产生具有确定螺旋度、且发射光谱能量分布狭窄的单个层间激子。通过系综和量子发射器状态下的光致发光激发光谱，研究人员识别出约23 meV的固定声子能量介导该过程。第一性原理计算证实了相关声子模式的对称性、能量及其与层间激子的耦合，为观测到的谷选择性声子辅助激发机制提供了微观理论支持。该工作凸显了手性声子作为调控TMD莫尔系统中量子发射器激发的有效工具，为谷电子学和量子光子学应用开辟了新途径。