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锗/硅锗异质结构是承载空穴自旋量子比特和安德列夫自旋量子比特等多种量子器件的理想平台。然而，由于材料堆叠中的缺陷，该异质结构与高品质因数微波超导腔的兼容性仍面临挑战。该研究团队提出了一种提升反渐变锗/硅锗异质结构上腔模相干性的方法：将约1.6微米厚的锗/硅锗堆叠完全刻蚀至初始高阻硅衬底，直接在衬底上制备超导腔。研究人员设计了锥形台面台阶结构，使超导腔能轻松跨越台阶到达锗量子阱中潜在的量子器件。采用该方法，观测到高阻抗频率可调约瑟夫森结阵列谐振器的内禀品质因数Qi≈10000-20000（受限于结制备工艺），以及50Ω共面波导铌剥离谐振器的Qi≈100000。这些品质因数在跨越台面重叠区域时仍得以保持，与高阻硅参考晶圆上制备的同类谐振器性能相当。该工作为超导-半导体混合器件提供了实用化路径，可立即应用于平面锗基新兴技术。