广义理想陈能带中的拓扑序与非厄米趋肤效应
分数量化在理想陈能带与非厄米拓扑物理是两个活跃但迄今分离的研究方向。通过将二者结合,该研究团队将理想陈能带概念推广至非厄米领域,并在能带理论和强相互作用体系中揭示了若干显著效应。具体而言,研究人员证明:当引入虚规范势时,Kapit-Mueller晶格模型的最低能带满足广义理想条件——其复Berry曲率与复量子度量保持同步。该理想能带虽保持纯实数且严格平坦,但其所有左右本征态在柱形几何下均向边界聚集,这意味着存在一种不伴随谱缠绕的非厄米趋肤效应。这种趋肤效应被多体零模继承,从而在晶格上形成具有指数分布特征的skin-Laughlin态。此外,在环面几何中,当非厄米强度达到临界值时会出现柱形几何中不存在的非常规相变。该工作成果推动了非厄米系统中拓扑序理论的拓展。
量科快讯
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