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随着小芯片架构和2.5D/3D集成技术的发展，先进半导体封装的复杂性日益增加，这对锁定热成像（LIT）等传统故障定位方法提出了挑战，并使现有失效分析（FA）流程更趋复杂。密集的再分布层和埋入式互连限制了现有技术对故障机制进行无损检测的能力。该研究团队通过封装级磁电流路径成像技术，验证了基于金刚石氮空位（NV）中心的量子金刚石显微镜（QDM）作为一种无损定位方法的可行性。利用iPhone商用集成扇出型层叠封装（InFO-PoP）器件，研究人员展示了一个完整的失效分析流程，其中包含使用QDM定位封装背面集成无源器件（IPD）短路故障的案例。研究表明，QDM结果能提供超越传统技术的宝贵信息，可显著提升封装级失效分析中根本原因的识别能力。该工作证明了QDM在半导体芯片与封装分析流程中更广泛应用的潜力。