六方氮化硼（hBN）中的硼空位（VB−）已成为一种极具前景的二维量子传感器平台，能在原子尺度近距离下工作。然而，当薄层hBN传感材料与吸光材料接触时，其光致发光猝灭的机制尚待深入研究。该研究团队通过本工作，探究了VB−中心与单层石墨烯或二维半导体之间的非辐射福斯特共振能量转移（FRET）。值得注意的是，研究人员发现当hBN传感层厚度超过3纳米时，FRET速率可忽略不计，这凸显了VB−中心在范德华异质结构中集成超薄量子传感器的潜力。此外，该团队通过实验测得了VB−缺陷的本征辐射衰减速率。
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提交arXiv：
2025-12-03 17:02
