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广泛的理论和实验研究已证实Si/SiGe体系可实现高保真电子输运，而Si/SiO2（SiMOS）系统的演示仍处于初级阶段。为解决这一问题，该团队在早期二维模型基础上，对实际SiMOS器件中的传送带式电荷输运进行了完整的三维模拟。通过求解不同输运速度和栅极电压下的泊松方程和含时薛定谔方程，重点分析了典型SiMOS器件中氧化层界面粗糙度、栅极制造缺陷及传输路径电荷缺陷等潜在问题。 模拟结果表明：在低栅极电压下，多层栅极结构中的额外氧化物屏蔽效应会导致传送带模式退化为接力式输运，并在此过程中引发显著的轨道激发。增强约束条件可恢复传送带工作模式，该研究发现该模式对界面粗糙度、栅极错位以及氧化物埋层电荷缺陷具有较强鲁棒性。然而，研究数据表明位于Si/SiO2界面的缺陷仍会引起明显的轨道激发。在传送带栅极偏压较低时，传输通道中的正电缺陷甚至能捕获途经电子。因此，该工作不仅揭示了SiMOS架构中的关键挑战，还确定了实现可靠电荷输运的工作区间。