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该研究团队报告了在碳化硅绝缘体（SiCOI）平台上对硅空位小集合（<450个）的电自旋态读出及相干控制实验，激发波长覆盖780至990纳米。首次实现在远超V2型硅空位零声子线位置的自旋态读出。通过薄膜SiCOI中的光电磁共振检测（PDMR）技术，研究人员将可扩展的无光学自旋读出方法与极具潜力的可扩展CMOS兼容集成光子学平台相结合。此外，团队对比了块体碳化硅与薄膜SiCOI的光学/电学读出性能，发现薄膜加工工艺对约7微秒的块体T2时间无显著影响。这些成果确立了SiCOI作为多功能平台的潜力，不仅适用于集成光子学，还能在宽激发波长范围内为可扩展量子技术提供电子和自旋器件的解决方案。