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采用量子关联光子的量子技术需要具备接近完美的“真实”量子效率的光电二极管，该效率定义需充分考量器件的暗噪声。未来基于压缩光增强的引力波探测器若采用2微米波段激光，理论上可获得更高灵敏度。尽管现有商用扩展铟镓砷（InGaAs）光电二极管覆盖该波段，但在室温及引力波低频段下，暗噪声会显著降低真实量子效率。本研究系统表征了商用扩展InGaAs光电二极管性能随温度的变化规律：虽然暗噪声如预期随温度降低而减小，但探测效率也呈单调下降趋势。这一结果表明，针对2微米激光的引力波探测器亟需开发专用新型光电二极管设计方案。