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半导体量子点发出的光子偏振纠缠态不可避免地受限于晶格核自旋涨落的影响。为突破这一限制，该研究团队提出了一种基于三重态激子的对称胶体量子点纠缠光子对生成理论。研究人员推导出了反映超精细相互作用强度与纠缠度（concurrence）关系的通用解析表达式，结果表明该系统本征纠缠度显著高于传统双激子体系（如自组装量子点）。该研究发现纠缠度对纳米晶的形状各向异性和外加应变具有敏感依赖性，尤其揭示了通过调控纳米晶各向异性与电子-空穴交换相互作用之间的耦合效应，可完全抑制超精细相互作用的有害影响。该工作表明这代表了半导体量子点产生纠缠光子对的终极性能极限。