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该研究团队报道了在4H-SiC中实现并光学表征了发射波段位于光纤通信窗口的氯空位(ClV)色心。这些缺陷通过氯离子注入结合高温退火工艺制备而成。光致发光光谱揭示了四种不同构型的ClV色心，其零声子线(ZPL)分别位于O波段(1260-1360纳米)、S波段(1460-1530纳米)和C波段(1530-1565纳米)。通过受控注入和退火实验证实，ClV色心源于外源氯元素在SiC中的掺入，而非材料本征缺陷。研究人员优化了ClV色心群的制备条件，并证明在30K温度以下其零声子线强度几乎无衰减。这些研究成果确立了ClV缺陷作为与CMOS工艺兼容的新型通信波段色心体系，为可扩展量子网络提供了重要技术平台。