量子科技中心_量科网

金刚石中的带负电硅空位中心（SiV-）展现出优异的自旋相干性和光学特性，使其成为量子技术领域极具前景的候选体系。然而，应变导致的光学跃迁频率非均匀分布对其规模化应用构成了挑战。该研究团队通过平面内电极施加最高达45 MV/m的中等电场，实现了SiV-中心零声子线的电学调控。二次斯塔克位移超过10 GHz，与嵌在光子晶体纳米腔等光学纳米结构中的SiV-发射体所呈现的15 GHz非均匀分布处于相同数量级。对单个SiV-中心的分析表明，不同缺陷间的极化率存在显著差异，说明极化率强烈依赖于应变等局域参数。观测到的极化率约为锡空位中心的3–25倍，该团队将其归因于价带共振导致e_u波函数的离域化。光致发光激发测量显示，光学线宽随外加电场强度仅适度增加。这些结果表明，巨大的电致斯塔克位移能够克服跃迁频率的非均匀分布，为基于SiV-的可扩展量子技术（如量子中继器）迈出了重要一步。