量子科技中心_量科网

直到最近，学界普遍认为随机量子电路的（近似）2-设计性质严格强于其抗集中性，这主要是因为已有研究证明后者在对数深度电路下已具备抗集中性，而前者通常需要线性深度电路才能实现。然而，这一观点被最新研究成果所推翻——该研究团队证明，所谓“相对误差近似酉2-设计”实际上可在对数深度下生成，这直接蕴含了抗集中性。不过，该结论并不适用于普通的局域随机量子电路，而本文的工作恰好填补了这一空白（至少针对2-设计情形）。更准确地说，我们证明了局域随机量子电路一旦满足抗集中性，即意味着它们构成相对误差近似态2-设计，表明这两种性质在该电路系综中具有等价性。我们的结论可进一步推广至任何满足局域（单量子比特）酉变换不变性的随机电路架构，且不受具体电路结构限制。