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随着量子技术的进步，一个核心挑战在于如何抑制超导电路中的噪声与反向散射，以实现可扩展的高保真度操作。传统超导元件缺乏方向性，导致能量损失和退相干现象。超导二极管能实现单向无耗散电流传导与反向电阻性流动，虽具有潜在应用价值，但其效率与量子集成度仍受限制。本工作通过在平面内和面外磁场下构建扭曲二硒化铌（NbSe2）双层结构，实现了量子二极管。仅1度的扭转角度就使器件效率较原始结构提升至27.6%。量子模拟表明，这种远低于100%理想值的中间效率不仅具有实验可行性，更能最优保持量子比特非谐性并稳定双能级系统。这些发现证明最大整流效率对量子信息处理并非总是有利，从而确立了通过设计扭曲超导体本征特性来构建低功耗、高保真量子电路的新范式。