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具有本征低晶格热导率（𝒦）的晶态半导体对于热障涂层和热电等器件应用至关重要。实验表明，CuCd₂InTe₄和CuZn₂InTe₄等四元硫族化合物半导体表现出低𝒦特性，但其微观机理仍不甚明晰。本研究通过结合Peierls机制（粒子状传播，𝒦P）与相干机制（波状隧穿，𝒦C）的第一性原理统一框架，分析了其热输运机制。研究揭示费米能级下方的扩展反键态会增强声子非谐性，并强烈散射载热声子模式，从而抑制该类材料的热导率。分析表明𝒦P主导总热导率，而即使存在强声子非谐性，𝒦C贡献仍可忽略。相较于CuZn₂InTe₄，CuCd₂InTe₄中较重的Cd离子引发更显著的声-光声子重叠与散射效应，使前者热导率进一步降低。实际样品中的晶界散射也会额外抑制热输运。该工作阐明了四元硫族化合物低热导率的原子尺度起源，为设计低热导率半导体提供了理论依据。