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电子穿梭正成为可扩展硅自旋量子比特量子计算的关键推动因素，但保真度受到原子级无序性的限制。该研究团队引入了一个多尺度模拟框架，结合时间相关的有限元静电学和原子级紧束缚方法，以捕捉随机合金化和界面粗糙度对穿梭电子谷分裂和相位的影响。该研究发现，穿梭保真度受到界面粗糙度的强烈抑制，在原子层尺度附近存在一个明显的异常，这为实现可扩展穿梭设定了量化指导原则。