Si-SiGe混合超导-半导体微波量子电路中鲁棒的NbN

推动大规模量子计算需要兼具长相干时间与半导体技术兼容性的超导电路。该研究团队探究了与硅/硅锗量子阱集成的氮化铌共面波导谐振器,构建了专为CMOS兼容量子硬件设计的混合平台。通过单光子态下的变温微波谱学测量,研究人员分析了谐振频率与品质因数的变化规律,以揭示潜在损耗机制。该工作确认了双能级系统、准粒子及散射过程的贡献,并将这些损耗与晶圆特性和制备工艺相关联。实验器件展现出可重复的性能指标和持续两年以上的稳定运行特性,凸显了其可靠性。这些成果为开发低损耗CMOS兼容超导电路提供了设计准则,并推动着量子信息处理领域向稳健、可扩展的架构迈进。

作者所在地: VIP可见
作者单位: VIP可见
提交arXiv: 2025-09-30 15:03

量科快讯