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该研究团队提出了一种名为“单发交叉谱技术”（SSCS）的创新方法，用于提取量子比特对的退相位噪声自功率谱密度与互功率谱密度。该方法采用单量子比特拉姆齐实验的单次测量读数作为直接输入数据，对量子态制备与测量误差具有鲁棒性。研究人员将该技术应用于半导体自旋量子比特器件的实验数据，成功获取了跨越五个数量级（5毫赫兹至500赫兹）的噪声频谱。相较于现有技术，SSCS首次实现了对自旋量子比特在1-500赫兹中频段噪声相关性的测量，并可通过提升读取速度进一步扩展测量范围。从更广泛意义而言，该技术的可测频率范围仅受限于实验重复率，在不同量子平台上均具备相应的可扩展性。