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元素碲（Te）因其独特的手性晶体结构和预测的拓扑特性，成为一种极具研究价值的范德瓦尔斯材料。该研究团队报道了基于不同厚度Te薄片器件的制备及综合量子输运研究，在30开尔文温度下，17纳米厚薄片中的空穴迁移率最高可达1000 cm²/V·s。在深低温环境（<50mK）中，输运特性随载流子密度变化呈现明显转变：低密度区出现库仑阻塞效应，而高密度区则显现显著的法布里-珀罗（F-P）干涉现象。值得注意的是，较薄Te器件中F-P振荡的可见度显著增强。外加磁场条件下，电导峰显示出明显的塞曼分裂。观测到的丰富量子输运现象不仅证实了该团队制备的Te薄片具有优异质量，更确立了其作为探索拓扑超导性和低功耗自旋电子器件等新物理现象及器件概念的理想平台地位。