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该研究团队提出了一种在2微米以上波段实现GaSb基半导体放大器宽带光增益的设计策略。通过采用厚度不一的不对称GaInSb/AlGaAsSb量子阱结构，研究人员展示了平坦且宽泛的增益光谱。该方案利用不同量子阱间的载流子浓度与跃迁能量调控机制，在特定电流密度下实现对多个能级的协同覆盖。基于“Harold”自洽仿真环境的模拟结果表明：由1个7纳米和3个13纳米厚度量子阱组成的结构，其增益光谱半高宽可达340纳米以上。建模参数已通过实验数据验证，为面向中红外应用的宽带放大器与超辐射二极管设计建立了可靠框架。