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超导电路实现高相干时间的主要限制因素之一是双能级系统（TLS）损耗。为减少此类损耗，需控制金属-空气界面原生氧化物的形成。本研究报道了在去除氧化层后，于铌薄膜上生长烷基膦酸自组装单分子膜（SAMs）的方法。通过共面波导谐振器在10mK下的品质因数和谐振频率变化，研究人员评估了六天空气暴露中钝化处理的效果。未钝化谐振器在单光子功率水平下损耗增加约80%，而SAM钝化器件则因抑制氧化物再生而保持优异的时间稳定性。借助双组分TLS模型，该团队鉴别出两类谐振器的显著损耗通道差异，并量化得出SAM的特征TLS损耗约为5×10^-7。该工作提出的钝化技术有望为工业级量子比特制造——尤其是对器件长期稳定性要求严苛的领域——提供重要解决方案。