量子科技中心_量科网

硅中的T中心缺陷因其独特的自旋特性以及与成熟硅工艺的兼容性，为量子技术提供了极具前景的平台。该研究团队探究了单T中心间的多种门控方案，包括两种基于概率性光子干涉的协议、一种近确定性的光子散射门方案，以及一种基于磁偶极相互作用的确定性方案。重点研究了带反馈机制的光子干涉方案，其成功率可突破50%，并首次采用光子计数分解法在考虑实际缺陷的情况下，对该方案的纠缠保真度与效率进行了解析计算。团队同时量化评估了其他方案的保真度与效率指标。基于现有及近期可实现的实验条件，研究人员对各方案性能展开系统对比，发现带反馈的光子干涉方案在效率与保真度方面均具备竞争优势，值得通过实验进一步探索验证。