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自旋输运技术通过解决量子点的连接限制问题，为开发可扩展的硅基量子处理器提供了可行方案。该研究团队在硅基MOS器件中展示了基于泡利自旋阻塞（PSB）读取的高保真度“桶链式”自旋输运，实现了平均99.8%的输运保真度。残余输运误差对量子点间隧道耦合与塞曼分裂能级之比表现出高度敏感性，通过调节这些参数可使误差率产生高达二十倍的变化。一个合适的四能级哈密顿量模型验证了这些发现。这些成果为优化未来量子架构中的高性能自旋输运系统提供了重要参考。