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超电感是一种电路元件，其特性在于具有超过超导电阻量子（k）的本征阻抗，在计量学、传感技术乃至量子计算领域均有应用价值。然而，这类元件通常需采用具有高密度电感特性的特殊材料，如约瑟夫森结、超导纳米线或扭曲二维材料。该研究团队展示了一种在硅集成电路（IC）中实现的超电感器件，其利用了制造工艺（22纳米FDSOI）中原生的氮化钛薄膜的高动生电感特性（约nH/级）。通过将该超电感与同一集成电路内形成的硅量子点耦合，研究人员成功制备出射频单电子晶体管（rfSET）——半导体量子计算机中最广泛使用的传感器。这种集成化rfSET有效降低了寄生效应，结合高阻抗特性，使其灵敏度较现有最优技术提升超两个数量级，同时器件面积缩小至万分之一。此项成果不仅为密集集成的高性能量子比特传感器阵列奠定了基础，更将高动生电感超导器件与现代硅集成电路的融合开辟了广阔前景，包括天文观测用动生电感探测器阵列，以及基于一维和二维谐振器阵列的超构材料与量子模拟器研究。