利用汉勒效应探测单个电信InAs(P)/InP量子点中的电子自旋动力学
量子点(QDs)中受限载流子的自旋因具有相对较长的自旋弛豫时间,成为量子比特的理想候选。然而,主要由核自旋超精细相互作用导致的电子自旋退相干会限制其相干性。该研究团队首次在发射电信C波段波长的单个InAs(P)/InP量子点中实现了汉勒效应演示,并据此通过实验测定了电子自旋退相干时间。通过偏振分辨光致发光光谱技术,研究人员识别出激子复合体,并确认了负电性三子态的存在——该态在准共振激发下展现出-36%的圆偏振度(DOCP)。基于汉勒曲线线宽分析及已报道的电子g因子值,该工作提取出电子自旋退相干时间T₂* = 1.59±049纳秒。尽管铟核自旋较大,但获得的T₂*值与基于GaAs的量子点报道值相当,研究人员将其归因于InAs(P)/InP量子点更大的体积。这些发现证实了基于InP的电信波段量子点在自旋-光子接口中的应用潜力。
