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在超导薄膜中普遍观察到准粒子密度过剩现象。这种过剩会导致多种超导器件性能衰退，包括量子比特的退相干效应。本研究中，该研究团队评估了文献[1]提出的假说——即准粒子过剩源于低密度状态下，因亚带隙态局域化导致的异常缓慢复合过程。通过隧道结的电流-电压测量，研究人员探测了铝和铌薄膜的态密度，并提取了亚带隙态能级及能隙展宽的上限参数。基于这些参数计算文献[1]预测的复合时间后，该团队发现在铝基和铌基超导器件中，观测到的准粒子密度水平下并不会出现缓慢复合现象。这些结果表明：有序超导体中的准粒子过剩主要来自非热源性的准粒子产生机制，而非缓慢复合过程。