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范德瓦尔斯材料中的光学活性自旋缺陷近年来成为一种多功能量子传感器，其应用范围涵盖从纳米级磁场检测到探索凝聚态系统中的新型量子现象。这类材料易于剥离且与器件集成兼容，使其成为未来量子技术的有力候选者。该研究团队报告了在二硫化锗高温晶相（β-GeS2）中观测到的自旋缺陷及其室温相干操控成果——这种二维半导体具有低核自旋密度。观测到的自旋缺陷呈现1/2自旋特性，其自旋动力学可用弱耦合自旋对模型解释。通过动态解耦技术，研究人员将自旋相干时间（T2）延长了20倍。最后采用密度泛函理论计算评估了两种潜在自旋缺陷候选者的结构与自旋密度分布。该工作将推动范德瓦尔斯材料自旋缺陷在量子传感领域的应用拓展。